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根據(jù)平行穿過磁場(chǎng)的強(qiáng)弱和角度不同，阻抗值發(fā)生變化的AMR橋阻與ASIC集成在單芯片中。通過與磁鐵配合，進(jìn)行非接觸式位置檢測(cè)。相比于霍爾傳感器具有更高的精度（回差可以小于3高斯），對(duì)磁場(chǎng)平行感應(yīng)，和不同方向的AMR橋阻配合實(shí)現(xiàn)360°兩維感應(yīng)的特點(diǎn)。 主要應(yīng)用于不同感應(yīng)角度與低功耗高頻感應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)合，現(xiàn)有兩個(gè)產(chǎn)品線，磁阻一維感應(yīng)開關(guān)與磁阻二維感應(yīng)開關(guān)。
磁阻一維感應(yīng)開關(guān)：內(nèi)置單路AMR橋阻，實(shí)現(xiàn)±25°夾角內(nèi)磁場(chǎng)的檢測(cè)。典型應(yīng)用于需要防止剩磁干擾的精確位置檢測(cè)。
磁阻二維感應(yīng)開關(guān)：內(nèi)置多路AMR橋阻，通過不同角度的擺放，實(shí)現(xiàn)360°平面內(nèi)磁場(chǎng)的檢測(cè)，典型應(yīng)用于需要大感應(yīng)角度的磁場(chǎng)的位置檢測(cè)。
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磁阻一維感應(yīng)開關(guān)：
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磁阻二維感應(yīng)開關(guān)：
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